2023

12-05

东科半导体推出基于不对称半桥架构的全合封氮化镓AC-DC电源管理芯片DK8715AD系列

      前言


  在电源设计中,不对称半桥AHB拓扑技术适用于单电压输入的场景,而对于宽电压输入的应用,则需要增加PFC级以实现更好的性能。该技术在宽电压输出方面表现优越,特别适用于需要高度可调性的场合,相较于LLC技术更为适合PD等应用场景



  不对称半桥AHB拓扑技术集成了LLC和反激的优点,实现了初级侧零电压开关(ZVS)和次级侧零电流开关(ZCS),提高了系统的效率。通过采用电感与电容双储能元件,可以有效减小变压器体积,从而提高系统的整体紧凑性。

  另外,二次侧同步整流技术使电压应力较小,有效降低了系统成本。整体外围结构简单,易于调试,并且对电磁干扰(EMI)的压力较小。

  东科半导体推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不对称半桥解决方案DK8715AD,采用三合一设计,单芯片集成AHB控制+半桥驱动+半桥GAN器件,实现了优异的总线控制功能,提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度,相较于其余方案,其外围元件大幅减少,调试难度低,有效降低了系统成本压力,整体成本远低于竞品方案。

       东科半导体DK8715AD

  东科半导体DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片,其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力,内置全范围抖频电路,从而减小开关损耗并改善电磁干扰。




  DK8715AD支持最高800KHz开关频率,前段带有升压PFC的情况下推荐功率为150W(高功率密度小体积应用场景),待机功耗小于50mW,具备自适应死区和关断算法,无需外围调节,外围极致精简,同时具备无卤素特性,符合ROHs要求,并内置高压启动和X电容放电电路,可为系统提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自适应四种负载模式,有效提高各负载段效率,通过搭载DK8715AD,可使设备效率最高可达95.4%。




       DK8715AD典型应用图

  DK8715AD内置了两颗650V增强型GaN HEMT,采用半桥驱动和AHB控制,内置半桥驱动电路以及不对称半桥控制电路。上管部分采用自适应关断技术,能够在需要时实现自动关断操作,而下管部分则采用自适应死区技术,有效地避免死区效应的发生。同时配备了多功能引脚,这些引脚可以用于退磁检测、输出OVP、Brown in/out等功能,还具有CS负压采样功能从而提高驱动稳定性。

  DK8715AD外围精简,可极大简化AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8715AD 具备完善的保护功能:包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC 过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。



  DK8715AD采用DFN8*8的封装形式,适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、电视电源、两轮电动车充电器、通信电源、LED电源等领域之中。


       方案总结


  不对称半桥AHB拓扑技术整合了LLC和反激的优点,实现了初级侧零电压开关(ZVS)和次级侧零电流开关(ZCS),从而提高了系统的效率,有效减小变压器体积,提高系统的整体集成度。另外,二次侧同步整流技术降低了系统成本,外围结构简单,易于调试,并对电磁干扰(EMI)的压力较小。

  DK8715AD是一款基于不对称半桥架构的全合封解决方案,集成了AHB控制、半桥驱动和两颗650V增强型GaN HEMT,具备高达800KHz的开关频率,待机功耗小于50mW,具备自适应死区和关断算法。DK8715AD可在较大负载范围内实现原边功率管ZVS和副边整流管ZCS,外围设计精简,简化了AC-DC转换器设计,降低了系统成本压力,适用于高功率密度快速充电器、适配器、电源等领域,同时具备全面的保护功能,确保产品稳定性和可靠性。

2023

09-18

东科与北京大学成立第三代半导体联合研发中心

  9月15日,东科半导体(安徽)股份有限公司与北京大学共同组建的第三代半导体联合研发中心正式揭牌成立。由北京大学科学研究部谢冰部长及马鞍山市委书记袁方共同为北大-东科联合研发中心揭牌。



图左为袁方书记,右为谢冰部长


 北大-东科第三代半导体联合研发中心,(以下简称“研发中心”)将瞄准国家和产业发展全局的创新需求,以第三代半导体氮化镓关键核心技术和重大应用研发为核心使命,重点突破材料、器件、工艺技术瓶颈,增强东科半导体在第三代半导体技术上的创新能力和市场主导力。


 北京大学集成电路学科作为我国第一个半导体专业,在学科建设、师资队伍等综合实力均处于国内一流领先水平。 而东科半导体作为国内最先研发布局氮化镓芯片研究的企业,国内首创合封氮化镓电源管理芯片,其产品性能指标等同或部分超出国外同类产品,并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市场广泛认可,实现国产替代。



  东科半导体在继青岛、无锡、深圳、马鞍山研发中心后新成立的北京研发中心,将借助北京大学及其他首都高校的研发技术及人才优势,以高标准打造出一支学历层次高、专业覆盖面广、技术力量雄厚、产学研联系紧密的研发队伍。

  随着氮化镓技术的不断突破与完善,下游新的应用市场规模将不断爆发,同时氮化镓作为第三代半导体,其优异特性将成为提升下游产品性能、降本增效、可持续绿色发展的关键技术之一。

  未来,东科半导体的氮化镓芯片将在继续深耕快充等消费电子细分领域市场的同时,进一步拓展进入通信、工业电源、光伏、新能源等众多产业领域,为推进芯片国产化进程不断前行。

2023

07-20

凝心聚力,共创未来 | 东科半导体乔迁揭牌仪式暨答谢晚宴圆满结束

  2023年7月15日,以“凝心聚力,共创未来”为主题的东科半导体乔迁揭牌仪式答谢晚宴安徽马鞍山隆重举办。并邀请了核心客户,代理商,核心供应商两百位来宾朋友、分子公司负责人出席本次仪式及晚宴,市经开区领导代表也应邀出席了上午的揭牌仪式,共贺东科半导体乔迁之喜!


  此次投入使用的东科半导体产业园占地52亩,一期新建厂房及附属2.9万平方米,主要从事氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。全部达产后,预计可实现芯片年产10亿只。




  


  作为国内为数不多的集研发设计、封测、销售、服务于一体的集成电路国家级专精特新小巨人企业,研发创新是核心生命力,在不断扩大研发队伍的同时,持续跟各大院校、科研院所开展研发合作。引进了新型研发机构京皖智慧装备研究院,整合了包括北大在内的专业研发人才,为东科提供创新成果服务,为人才提供培育平台,实现了大学与企业的创新发展的同频共振。并在继青岛、无锡、深圳、马鞍山研发中心之后,依靠北大的研发力量拟成立新的北京研发中心。

  经过多年的努力,东科已拥有超百项专利,生产出众多的自主创新产品,目前东科不但是国内同步整流芯片市占率前三的头部企业,同时还是国内氮化镓电源产品设计最早、品种最全、功率段覆盖最广的芯片设计企业,引领着氮化镓电源芯片市场的发展。


    截止目前东科芯片已服务数千家客户,国内客户遍布长三角、珠三角、华中、华北等多个地区,国外客户覆盖欧盟、巴西、比利时、印度、韩国、越南等多个国家,产品线已覆盖智能家电、移动数码、工控设备、消费电子等众多领域,下游众多优质的行业头部企业,已经陆续成为东科的核心客户。

    踔厉前行,笃行不怠,新起点,新征程,东科立志成为世界一流的电源管理服务商,为客户创造价值,为芯片国产化进程不懈努力。

2023

03-10

东科半导体与安徽工业大学举行共建联合实验室揭牌暨奖学金捐赠仪式

  2023年3月8日下午,东科半导体(安徽)股份有限公司和安徽工业大学共建联合实验室揭牌仪式暨东科专业奖学金捐赠仪式在安工大佳山校区隆重举行。


  会上,安徽工业大学校党委常委、副校长曾杰介绍了安工大发展情况、学科优势以及近几年在产学研合作、科技转化等方面的成绩,对东科半导体能够积极参与人才培养表示感谢。期待双方能够充分发挥产业学院和联合实验室双平台作用,加强在教学、研究、实践等环节的全方位合作,开拓创新,着力探索校企合作新途径,发掘校企合作新潜力,取得互惠共赢新成果。

    东科半导体董事长谢勇、安徽工业大学副校长曾杰作为代表,共同为联合实验室进行揭牌

 

 随后,董事长谢勇在致辞中介绍了东科近年发展成果和未来规划,并指出共建联合实验室是半导体技术研发和成果转化的重要平台,东科将通过引进国内外先进的研发实验设备及业内高端人才,打造国内领先的半导体研发实验室。借此平台,企业的技术创新与高校院所的学科建设能更加紧密结合,为高校科研团队提供更好研发条件,又能为东科输送更多专业技术和实践经验兼具的人才,有效推动科技成果供给及对接转化。


  

副总经理赵少峰与安工大微电子与数据科学学院院长黄仙山签订共建联合实验室协议



  副总经理杨伟真与安工大微电子与数据科学学院院长黄仙山作为代表签订东科专业奖学金捐赠协议


  最后,与会人员围绕微电子人才培养、半导体产业发展、校企融合等领域进行了深入交流,期盼东科和安徽工业大学携手共进,建立资源共享、优势互补、合作共赢、长期稳定、可持续发展的合作伙伴关系。不断加强在半导体技术研发、人才培养、成果转化等方面开展全方位深层次合作,不断推进产学研融合,共同促进马鞍山高质量发展,并最终服务于国家芯片产业重大战略布局。


与会代表就进一步深化校企合作进行深入交流


2022

09-21

大幅简化电路设计,东科芯片原厂量产65W合封氮化镓芯片

    前言

  在氮化镓快充市场不断拓展的过程中,电源技术水平也在不断提升,起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器 + 驱动 + 氮化镓功率器件组合设计,不仅电路布局较为复杂,产品开发难度相对较大,而且成本也比较高。

  为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量,目前已有许多电源芯片厂商在着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线,用一颗芯片完成氮化镓功率器件、PWM 控制、驱动、保护等功能,既能够提升整体方案的性能,同时也能减少 PCB 板的占用,缩小尺寸并减少物料成本。

  目前,合封氮化镓芯片已在小功率快充产品中实现规模化商用。而随着氮化镓合封技术的不断发展,已有多家芯片原厂推出了可用于 65W 功率段的合封氮化镓芯片。

  东科半导体面向 65W 快充应用,推出了 DK065G 合封氮化镓芯片,内部集成了 650V 260m Ω 氮化镓开关管,最高支持 250kHz 开关频率。芯片通过检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS 达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。


  东科 DK065G 采用 DFN8*8 封装,待机功耗低于 50mW,采用谷底开通以降低开关损耗,内置高低压输入功率补偿电路,保证高低压下最大输出功率一致,可广泛应用于高功率快充充电器、笔记本平板等产品中。


  传统的 65W 氮化镓快充方案包括控制器 + 驱动器 +GaN 功率器件等,电路设计复杂,成本较高。而若采用合封氮化镓芯片,一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能,不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低,而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数,电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试,加速产品研发周期。                             

 

文章来源:充电头网 

 

2022

07-06

联想小新智能投影仪65W充电器——内置东科DK065G搭配DK5V100R10M

  联想推出了一款超薄的小新520智能投影仪,具备1080P高分辨率,4.8cm的超薄厚度,设计非常小巧,可以与笔记本一同携带,获得全新的观影体验。联想为这款轻薄投影仪配备了一款氮化镓充电器,同样小巧精致,与投影仪风格搭配,并且采用USB-C接口,支持5-20V输出电压,可以为笔记本和手机充电。
 

  充电头网已经拿到了这款65W 氮化镓适配器,下面就进行拆解,看看这款投影仪原装的电源适配器采用了什么样的设计。


    

    初级主控芯片采用东科DK065G,是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持65W及以下功率应用。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK065G采用DFN8*8封装模式,可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。


 

 DK065G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK065G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP),开环保护,输出过流保护(OCP)等。

  同步整流芯片来自东科,丝印100R10M,实际型号为DK5V100R10M,是一款零外围的同步整流芯片,内置100V耐压,10mΩ导阻的同步整流管,支持CCM,DCM和QR运行模式,可直接替代肖特基二极管,提升电源转换效率。



 

充电头网拆解总结

 

  联想这款充电器采用白色机身,固定插脚,标准的配机充电器设计。充电器支持65W PD快充,得益于通用的USB PD接口,这款充电器除了为配套的投影仪供电外,还能为笔记本供电,十分方便。

 

  充电头网通过拆解了解到,这款充电器采用反激拓扑,宽电压输出设计。充电器内置东科半导体的快充电源方案,为DK065G合封氮化镓芯片搭配DK5V100R10M同步整流芯片组成,通过拆解可以看到,东科这款氮化镓合封芯片电源方案的外围元件非常精简。

 

  充电器内部PCBA模块采用黄铜散热片包裹,PCB正面打胶,背面有导热垫,将热量传导至散热片散发,满足长时间大功率输出设计。初级滤波电容来自黄宝石,次级固态滤波电容来自柏瑞凯,整机用料均为知名品牌。


文章来源:充电头网


2022

07-04

华科生65W快充充电器使用东科合封氮化镓芯片DK065G

   65W充电器是主流轻薄笔记本常用的一个功率,并且很多人在选购笔记本时,也会选购轻薄的笔记本,满足日常使用需求。华科生推出了一款65W 2C1A三口氮化镓快充,采用长条机身设计,支持单口65W输出,并支持5A PPS快充,兼顾笔记本电脑充电和安卓手机快充。

  同时这款充电器还具备20W快充,双口同时使用时按照45+12W功率分配,满足手机和电脑同时充电需求,下面就对华科生这款65W充电器进行拆解,看看内部做工用料如何。


  充电器初级主控芯片采用了一颗来自东科的合封氮化镓芯片DK065G,是一颗内部集成了650V氮化镓开关管的准谐振反激开关电源功率芯片。DK065G采用谷底开通以降低开关损耗,最高支持250kHz开关频率,待机功耗低于50mW,采用DFN8*8封装,适用于PD快充,电源适配器等应用。



  同步整流芯片来自东科,丝印100R10M,实际型号为DK5V100R10M,是一款零外围的同步整流芯片,内置100V耐压,10mΩ导阻的同步整流管,支持CCM,DCM和QR运行模式,可直接替代肖特基二极管,提升电源转换效率。


  充电头网通过拆解了解到,华科生这款充电器采用东科半导体的快充电源方案,为DK065G合封氮化镓芯片搭配同步整流芯片组成,通过拆解可以看到,东科这款氮化镓合封芯片的外围元件非常精简。输出协议芯片使用英集芯IP2723T和云矽XPD767的组合,实现三口快充。

文章来源:充电头网

2022

06-29

东科将出席2022(春季)亚洲充电展,进行合封氮化镓芯片和相关技术分享

  

  从第一款氮化镓快充电源量产到如今成百上千款氮化镓新品涌入市场,短短三年时间,整个氮化镓快充电源市场的容量翻了百倍,昔日只有个别第三方配件品牌敢于尝试的氮化镓技术,如今便已成为了一线手机、笔电品牌的主流产品,不得不感叹技术迭代的魅力。目前已有多家厂商推出数十款合封氮化镓芯片,在即将举办的2022(春季)亚洲充电展上,东科将分享并展示最新推出的合封氮化镓芯片和相关技术分享。

A12、13、14、15展位:东科半导体(安徽)股份有限公司



  DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK025G检测功率管漏极和源极之间的电压VDS,当VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。芯片最高支持250KHz开关频率,芯片内部集成氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。


DK025G

  DK025G采用ESOP8封装,可通过PCB铜箔散热,简化散热要求,降低温升。这款芯片广泛应用于高功率密度快速充电器,笔记本电脑,平板电脑和机顶盒等产品的适配器。

  DK025G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK025G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP),开环保护,输出过流保护(OCP)等。



DK036G



  东科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化镓芯片,芯片内部集成650V 400mΩ氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。芯片通过内部快速频率折返功能来调制最小峰值电流,达到快速降低开关频率的目的,从而有效降低系统在轻载下的损耗,提升系统的效率。芯片采用130KHz PWM开关频率,可以有效缩小充电器的变压器体积,得到性能和成本的平衡。DK036G内置过热、过流、过压和输出短路、次级开路保护功能,采用ESOP-8封装形式,可通过PCB铜箔散热,简化散热要求,降低温升。可以广泛应用于PD快充和电源适配器。


DK045G


  东科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持45W及以下功率应用。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK045G采用PDFN5*6封装模式,可广泛应用于高功率快充充电器,笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。

  DK045G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045G 具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC 过欠压保护,过温护(OTP), 开环保护,输出过流保护(OCP)等。

DK065G

  东科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片,支持65W及以下功率应用。DK065G 检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当 VDS达到其最低值时开启功率管,从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。东科DK065G采用PDFN8*8封装模式,可广泛应用于高功率快充充电器,笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。

  DK065G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造,尤其是需要高转化效率和高功率密 度的产品。DK065G具备完善的保护功能:输出过压保护(OVP),VCC过欠压保护,过温保护(OTP), 开环保护,输出过流保护(OCP)等。


文章来源:充电头网


ABOUT US

关于我们

东科半导体(安徽)股份有限公司
Dongke semiconductor (Anhui) Co., Ltd

  东科半导体(安徽)股份有限公司是国内为数不多的集研发、设计、生产、销售为一体的集成电路科技创新型企业,是国家级专精特新小巨人企业,2022年荣获安徽省专精特新50强企业。公司分别在青岛、北京、无锡、马鞍山、深圳设立有5个研发中心,一个封测基地。公司采用市场少有的“Fabless+封测”的经营模式,在具备自主芯片设计能力的同时,拥有自主封测能力。公司产品主要方向是高性能模拟和数模混合类电源管理芯片,第三代化合物半导体电源管理芯片和其他模拟类芯片。


  公司已先后与北京大学集成电路学院等国内领先的研发机构及高校达成联合研发及成果转化协议,共同推进现有产品的更新换代以及第三代氮化镓芯片的研发及应用研究。其中氮化镓电源管理芯片产品性能指标达到或部分超出国际同类产品。公司拥有2.5万平方生产线,年产能超10亿只芯片,为全球用户提供一站式电源解决方案。



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